芯片制造工藝中的薄膜就是薄膜沉積，可以是半導(dǎo)體可以說金屬。

薄膜沉積是在半導(dǎo)體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料，比如絕緣化合物二氧化硅，半導(dǎo)體多晶硅、金屬銅等。薄膜沉積是半導(dǎo)體工藝三大核心步驟之一。集成電路薄膜沉積可分為物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)和外延。 PVD是指通過熱蒸發(fā)或者靶表面受到粒子轟擊時(shí)發(fā)生原子濺射等物理過程，多應(yīng)用于金屬的沉積；CVD是指通過氣體混合的化學(xué)反應(yīng)在硅片表面沉積薄膜的工藝，可應(yīng)用于絕緣薄膜、多晶硅以及金屬膜層的沉積；外延是一種在硅片表面按照襯底晶向生長(zhǎng)單晶薄膜的工藝。

芯片制造工藝中的薄膜指的是封裝行業(yè)。電子封裝產(chǎn)業(yè)。